IKW50N60H3-kaufen Sie Original-Elektronikkomponenten von Infineon
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Beschreibung
The IKW50N60H3 designed and developed by Infineon is an igbt transistor dedicated to the automotive field and a high-performance component produced with TrenchStop™ technology. This device plays a very important role in the automotive field and is therefore a commonly used electronic component by car manufacturers. You can rest assured to buy all kinds of automotive-related electronic components from xt-shenzhen, a supplier with sufficient supply and sufficient stock! ! !
Das IKW50N60H3 Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device known for its high efficiency and fast switching. IGBTs kombinieren die einfachen Gate-Ansteuerungseigenschaften eines MOSFET mit den Fähigkeiten eines Bipolartransistors für hohen Strom und niedrige Sättigungsspannung, indem sie einen FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang und einen bipolaren Leistungstransistor für den Schalter in einem einzigen Gerät kombinieren. Includes devices with integrated high-speed, antiparallele Dioden mit schneller Erholung.
• Very low VCEsat
• Low EMI
• Very soft, fast recovery anti-parallel diode
• 175°C maximum junction temperature
• Standards Compliant JEDEC Compliant Target Application
• Lead-free lead plating; RoHS compliant
• Complete product range and PSpice
• ups
• Welding converter
• High switching frequency converter GCEGCE
| Nennleistung | 333W |
| Anzahl der Stifte | 3 |
| Verlustleistung | 333W |
| Die Spannung unterbrechen (Kollektor-Emitter) | 600v |
| Reverse-Recovery-Zeit | 130ns |
| Nennleistung (max) | 333W |
| Betriebstemperatur | -40℃ ~ 175 ℃ |
| Installationsmethode | Durchgangsloch |
| Paket | TO-247-3 |
| Verpackung | Rohr |
