IKW40N120H3-kaufen Sie Original-Infineon-Elektronikkomponenten

Beschreibung

IKW40N120H3 ist eine elektronische IGBT-Transistorkomponente, die von Infineon unter Verwendung der TrenchStop™-Technologie entwickelt und entwickelt wurde. Es handelt sich um ein Hightech-Produkt, Wird hauptsächlich in der industriellen Steuerung eingesetzt, Kommunikationsausrüstung, medizinische Ausrüstung, Militärische elektronische Ausrüstung, etc. Aufgrund der weiten Verbreitung ist dieses Gerät auf dem Markt Mangelware. Wenn Sie das gesamte Sortiment an Originalprodukten von Infineon kaufen oder sich darüber informieren möchten, Bitte kontaktieren Sie xt-shenzhen, um Sie zu bedienen! ! !

Das IKW40N120H3 ist eine Klasse diskreter Geräte und Module, Der Bipolartransistor mit isoliertem Gate oder IGBT ist ein Leistungshalbleiterbauelement mit drei Anschlüssen, das für seinen hohen Wirkungsgrad und sein schnelles Schalten bekannt ist. IGBTs kombinieren die einfachen Gate-Treibereigenschaften eines MOSFET mit den hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfähigkeiten eines Bipolartransistors, indem sie einen isolierten Gate-FET für den Steuereingang und einen bipolaren Leistungstransistor für das Schalten in einem Gerät kombinieren. Der IKW40N120H ist ein Gerät mit integrierter Hochgeschwindigkeit, Antiparallele Diode mit schneller Wiederherstellung. Diese Vorteile ermöglichen es den Geräten, den Gerätedruck zu teilen und das System sicherer und effizienter zu betreiben.

●Kollektor-Emitter-Spannungsbereich 1100 bis 1600 V
●Sehr niedrige VCEsat
●Geringe Ausschaltverluste
●Kurzer Schweifstrom
●Niedrige EMI
●Maximale Sperrschichttemperatur 175 °C
Kollektor-Emitter mit einer Nennspannung von 1100 bis 1600 V
●Kompatibel mit der TrenchStop™-Technologie