FF300R12KS4-Infineon-IGBT-Module

Beschreibung

FF300R12KS4 ist ein von Infineon entwickeltes IGBT-Modulgerät, das weltweit führende Halbleiterunternehmen, mit den Eigenschaften eines geringen Schaltverlusts. Das Gerät wurde für eine Vielzahl von Industrieanwendungen konzipiert und entwickelt, kommerziell, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeuge, und ist ein modulares Gerät mit einem sehr breiten Anwendungsspektrum. Das Unternehmen xt-shenzhen kann alle Arten von Original-IGBT-Modulen liefern, Sie können uns gerne schreiben, um mehr über Original-Elektronikkomponenten zu erfahren.

Das FF300R12KS4 Das Gerät kann zum Schalten bei Frequenzen bis zu verwendet werden 60 kHz für harte und weiche Schaltanwendungen. Zum Beispiel Wechselrichter, USV und Industrieantriebe. Kombiniert die einfachen Gate-Treibereigenschaften eines MOSFET mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfähigkeit eines Bipolartransistors, indem ein isolierter Gate-FET für den Steuereingang und ein bipolarer Leistungstransistor für den Schalter in einem einzigen Gerät kombiniert werden . Der Bipolartransistor mit isoliertem Gate, oder IGBT, entwickelt von Infineon, ist ein Leistungshalbleiterbauelement mit drei Anschlüssen, das von einer Vielzahl von Herstellern für seinen hohen Wirkungsgrad und sein schnelles Schalten geschätzt wird.

●Sorgen für geringe Schaltverluste
● Bis zu 60 kHz-Frequenzumschaltung.
●Mit offener Kollektor-Senderspannung von 1200 V
● Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Ic=300A, Vge=15V)
Gate-Schwellenspannung (IC= 12,0 mA, VCE = VGE, Temperatur = 25°C)
●Gate-Ladung (Vge=-15V~+15V)
●Interner Gate-Widerstand (Temperatur = 25°C)
●Eingangskapazität f = 1 MHz, Temperatur = 25°C, VCE= 25 v, VGE= 0 v
●Rückübertragungskapazität f = 1 MHz, Temperatur = 25°C, VCE= 25 v, VGE= 0 v
Kollektor-Emitter-Abschaltstrom VCE= 1200 v, VGE= 0 v, Temperatur = 25°C
Gate-Emitter-Leckstrom VCE= 0 v, VGE= 20 v, Temperatur = 25°C