IHW15N120R3-Original Infineon
$2.18
- Beschreibung
- Anfrage
Beschreibung
IHW15N120R3 is an igbt transistor specially developed by Infineon for use in the automotive field, and it is a high-performance component in this field. The device has been in short supply in the automotive sector and is therefore a popular electronic component for automakers. xt-shenzhen ist ein Lieferant mit ausreichender Versorgung und ausreichendem Lagerbestand, und ist Ihr zuverlässiger Partner! ! !
IHW15N120R3 IGBT transistor with collector-emitter voltage rating of 1100 to 1600V with TrenchStop™ technology. The family includes devices with integrated high-speed, antiparallele Dioden mit schneller Erholung. IGBTs kombinieren die einfachen Gate-Ansteuerungseigenschaften eines MOSFET mit den Fähigkeiten eines Bipolartransistors für hohen Strom und niedrige Sättigungsspannung, indem sie einen FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang und einen bipolaren Leistungstransistor für den Schalter in einem einzigen Gerät kombinieren.
• Robust monolithic body diode with low forward voltage, designed for soft commutation
• TRENCHSTOPTM technology application provides:
– very strict parametric distribution
– High durability, temperature stable behavior
– Low VCEsat – Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
• Low EMI
• JESD-022 Compliant Target Application
• Lead-free lead plating; RoHS compliant
• Inductive cooking
• Inverter microwave oven
• Resonant converter
• GCEGCE key performance for soft switching applications
• Low turn-off losses
• Short tail current
• Maximum junction temperature 175°C
| Nennleistung | 254W |
| Anzahl der Stifte | 3 |
| Verlustleistung | 254W |
| Die Spannung unterbrechen (Kollektor-Emitter) | 1200v |
| Nennleistung (max) | 254W |
| Betriebstemperatur | -40℃ ~ 175 ℃ |
| Verlustleistung (max) | 254W |
| Installationsmethode | Durchgangsloch |
| Paket | TO-247-3 |
| Verpackung | Rohr |
| RoHS-Standard | RoHS-konform |
