晶体管迎来又一次技术突破

随着半导体产业的发展, 各行各业的产品不断向智能化方向发展. 汽车领域产品, 工业机械, 消费电子越来越智能化, 这一切都离不开半导体器件的支持. 晶体管是半导体器件中最重要的器件之一, 每一次技术突破都伴随着各行业的技术调整.
最近, 研究人员取得了突破 晶体管, 从 finFET 架构技术到 3nm 纳米片晶体管技术. 这是一个非常大的技术改进, 并且预计这种技术改进也将在其他芯片领域得到实践.
与finFET技术相比, 纳米片晶体管增加了沟道宽度，并且可以在相同的电路占位面积内提供更多的驱动电流. 使用环栅设计极大地改善了通道控制并最大限度地减少了短通道效应. 在表面上, 纳米片晶体管类似于 finFET, 但纳米片通道和基板平行排列, 而 finFET 晶体管垂直排列, 哪个更适合设备操作. 纳米片晶体管的制造始于沉积 Si/SiGe 异质结构, 与基板隔离以防止寄生传导.
尽管 SiGe 层不是成品器件的一部分, 它们的锗浓度是一个重要的过程变量. 在不损坏或蚀刻硅的情况下完全去除 SiGe 材料需要具有高 SiGe 的蚀刻工艺:硅选择性. 理想情况下, 设备设计人员希望最小化纳米片之间的间距以减少寄生电容. 由于 Si 和 SiGe 的蚀刻特性不同，通过交替的 Si/SiGe 层进行蚀刻比蚀刻单片硅柱更复杂.
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