FGL40N120ANDTU-ON 半导体元件
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FGL40N120ANDTU 由安森美半导体设计开发. 该型号是专为处理汽车应用而设计的汽车级芯片. 由于其广泛的应用范围和高质量的要求, 这通常会导致不完整的生产能力. 市场一直处于供不应求的状态. 如果您想购买或了解更多紧缺电子元器件, 请联系xt-shenzhen为您解答! ! !
这 FGL40N120ANDTU Insulated Gate Bipolar IGBT Transistor是一种三端功率半导体器件，以高效率和快速开关着称. IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用于开关的双极功率晶体管组合在单个器件中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合.
• 高速切换
• 低饱和电压: VCE(坐着) = 2.6 V@IC = 40A
• 高输入阻抗
• 然后怎样呢, 带 FRD 的 IGBT: trr = 75ns (典型值)
• 感应加热应用, UPS, 交流和直流电机控制和通用逆变器
• 脉冲宽度受最大值限制.
| 耗散功率 | 500000 兆瓦 |
| 击穿电压 (集电极-发射极) | 1200五 |
| 反向恢复时间 | 112ns |
| 额定功率 (最大限度) | 500W |
| 工作温度 | -55℃～150℃ (TJ) |
| 包装 | 管子 |
| 耗散功率 (最大限度) | 500000 兆瓦 |
| 安装方式 | 通孔 |
| 引脚数 | 3 |
| 包裹 | TO-264-3 |
