FF300R12KS4-Infineon IGBT 모듈

설명

FF300R12KS4는 Infineon이 설계한 IGBT 모듈 장치입니다., 세계 최고의 반도체 회사, 낮은 스위칭 손실 특성. 이 장치는 다양한 산업 분야에 맞게 설계 및 개발되었습니다., 광고, 건설 및 농업용 차량, 매우 광범위한 응용 분야를 갖춘 모듈식 장치입니다.. xt-shenzhen 회사는 모든 종류의 원래 IGBT 모듈을 공급할 수 있습니다., 원래 전자 부품에 대해 자세히 알아보려면 글을 쓰셔도 됩니다..

그만큼 FF300R12KS4 장치는 최대 주파수에서 스위칭하는 데 사용할 수 있습니다. 60 하드 및 소프트 스위칭 애플리케이션 모두를 위한 khz. 예를 들어 인버터, UPS 및 산업용 드라이브. 제어 입력용 절연 게이트 FET와 스위치용 바이폴라 전력 트랜지스터를 단일 장치에 결합하여 MOSFET의 단순한 게이트 구동 특성과 바이폴라 트랜지스터의 고전류 및 낮은 포화 전압 기능을 결합합니다. . 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터, 또는 IGBT, 인피니언이 개발한, 높은 효율과 빠른 스위칭 성능으로 다양한 제조사로부터 인정받은 3단자 전력반도체 소자입니다..

●낮은 스위칭 손실 제공
● 최대 60 khz 주파수 스위칭.
● 오픈 콜렉터 송신기 전압 1200V 사용 시
● 콜렉터-이미터 포화 전압 (IC=300A, Vge=15V)
게이트 임계값 전압 (IC= 12,0 엄마, VCE = VGE, 온도 = 25°C)
●게이트 차지 (Vge=-15V~+15V)
●내부 게이트 저항 (온도 = 25°C)
●입력 정전용량 f = 1 메가헤르츠, 온도 = 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V
●역전송 용량 f = 1 메가헤르츠, 온도 = 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V
컬렉터-이미터 차단 전류 VCE= 1200 V, VGE= 0 V, 온도 = 25°C
게이트 이미터 누설 전류 VCE= 0 V, VGE= 20 V, 온도 = 25°C