FZ400R12KE3-Infineon IGBT モジュール

説明

FZ400R12KE3 は、世界有数の半導体企業 Infineon によって設計された低スイッチング損失 IGBT モジュール デバイスです. このデバイスはさまざまな産業用に設計および開発されています。, コマーシャル, 建設車両や農業車両に使用でき、非常に幅広い用途に使用できるモジュール式デバイスです。. インフィニオンからオリジナルの電子コンポーネントを購入または詳細を知りたい場合, xt-深センまでご連絡ください。.

の FZ400R12KE3 デバイスは、最大周波数でのスイッチングに使用できます。 60 khz（ハードおよびソフトスイッチングアプリケーション用）. インバータなど, UPSと産業用ドライブ. これらのデバイスは、制御入力用の絶縁ゲート FET とスイッチング用のバイポーラ パワー トランジスタを単一デバイス内で組み合わせることにより、単一の半集積モジュールを形成します。. インフィニオンが開発した絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、その高効率と高速スイッチングが多くのメーカーに認められている3端子パワー半導体デバイスです。.

●コレクタ・エミッタ間飽和電圧 (Ic=300A, Vge=15V)
●ゲート閾値電圧 (IC= 12,0 mA, VCE = VGE, 温度 = 25℃)
●ゲートチャージ (Vge=-15V～+15V)
●内部ゲート抵抗 (温度 = 25℃)
●入力容量 f = 1 MHz, 温度 = 25℃, VCE= 25 Ⅴ, VGE= 0 Ⅴ
●逆方向伝達容量 f = 1 MHz, 温度 = 25℃, VCE= 25 Ⅴ, VGE= 0 Ⅴ
●コレクタ・エミッタ間遮断電流 VCE= 1200 Ⅴ, VGE= 0 Ⅴ, 温度 = 25℃
● ゲート・エミッタ間リーク電流 VCE= 0 Ⅴ, VGE= 20 Ⅴ, 温度 = 25℃