FF300R12KS4-Infineon IGBT モジュール

説明

FF300R12KS4 は、Infineon によって設計された IGBT モジュール デバイスです, 世界をリードする半導体企業, 低スイッチング損失が特徴. このデバイスはさまざまな産業用に設計および開発されています。, コマーシャル, 建設車両および農業車両, 非常に幅広い用途を備えたモジュール式デバイスです. xt-shenzhen companyはあらゆる種類のオリジナルIGBTモジュールを供給できます, オリジナルの電子コンポーネントについて詳しく知りたい場合は、お気軽にお問い合わせください。.

の FF300R12KS4 デバイスは、最大周波数でのスイッチングに使用できます。 60 khz (ハードスイッチングとソフトスイッチングの両方のアプリケーション用). 例えばインバータ, UPSと産業用ドライブ. 制御入力用の絶縁ゲート FET とスイッチ用のバイポーラ パワー トランジスタを 1 つのデバイスに組み合わせることで、MOSFET のシンプルなゲート駆動特性と、バイポーラ トランジスタの高電流および低飽和電圧機能を組み合わせます。 . 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ, またはIGBT, インフィニオンが開発した, は、その高効率と高速スイッチングで幅広いメーカーに認められている 3 端子パワー半導体デバイスです.

●低スイッチング損失を実現
● まで 60 khz周波数切り替え.
●オープンコレクタ送信機電圧1200V仕様です。
●コレクタ・エミッタ間飽和電圧 (Ic=300A, Vge=15V)
ゲート閾値電圧 (IC= 12,0 mA, VCE = VGE, 温度 = 25℃)
●ゲートチャージ (Vge=-15V～+15V)
●内部ゲート抵抗 (温度 = 25℃)
●入力容量 f = 1 MHz, 温度 = 25℃, VCE= 25 Ⅴ, VGE= 0 Ⅴ
●逆方向伝達容量 f = 1 MHz, 温度 = 25℃, VCE= 25 Ⅴ, VGE= 0 Ⅴ
コレクタ・エミッタ間遮断電流 VCE= 1200 Ⅴ, VGE= 0 Ⅴ, 温度 = 25℃
ゲート・エミッタ間リーク電流 VCE= 0 Ⅴ, VGE= 20 Ⅴ, 温度 = 25℃