IHW15N120R3-Original Infineon

Descripción

IHW15N120R3 es un transistor igbt especialmente desarrollado por Infineon para su uso en el campo de la automoción., y es un componente de alto rendimiento en este campo. El dispositivo escasea en el sector de la automoción y, por lo tanto, es un componente electrónico popular para los fabricantes de automóviles.. xt-shenzhen es un proveedor con suministro suficiente e inventario suficiente, y es tu socio de confianza! ! !

IHW15N120R3 Transistor IGBT con tensión nominal colector-emisor de 1100 a 1600 V con tecnología TrenchStop™. La familia incluye dispositivos con alta velocidad integrada., diodos antiparalelos de recuperación rápida. Los IGBT combinan las características de accionamiento de compuerta simple de un MOSFET con las capacidades de voltaje de saturación baja y corriente alta de un transistor bipolar mediante la combinación de un FET de compuerta aislado para la entrada de control y un transistor de potencia bipolar para el interruptor en un solo dispositivo..

• Diodo de cuerpo monolítico robusto con voltaje directo bajo, diseñado para conmutación suave
• La aplicación de tecnología TRENCHSTOPTM proporciona:
– distribución paramétrica muy estricta
– Alta durabilidad, comportamiento estable a la temperatura
– VCEsat bajo – Fácil capacidad de conmutación en paralelo debido al coeficiente de temperatura positivo en VCEsat
• EMI baja
• JESD-022 Aplicación de destino compatible
• Recubrimiento de plomo sin plomo; RoHS
• Cocina inductiva
• Horno microondas inversor
• Convertidor resonante
• Rendimiento clave de GCEGCE para aplicaciones de conmutación suave
• Bajas pérdidas por desconexión
• Corriente de cola corta
• Temperatura máxima de unión 175°C