FF300R12KS4-Módulos IGBT de Infineon

Descripción

FF300R12KS4 es un dispositivo de módulo IGBT diseñado por Infineon, la empresa de semiconductores líder en el mundo, Con las características de baja pérdida de conmutación.. El dispositivo está diseñado y desarrollado para una variedad de aplicaciones industriales., comercial, vehículos de construcción y agrícolas, y es un dispositivo modular con una amplia gama de aplicaciones. La empresa xt-shenzhen puede suministrar todo tipo de módulos IGBT originales., Le invitamos a escribir para obtener más información sobre los componentes electrónicos originales..

los FF300R12KS4 El dispositivo se puede utilizar para conmutar en frecuencias de hasta 60 khz para aplicaciones de conmutación dura y suave. Por ejemplo inversores, UPS y variadores industriales. Combina las características de accionamiento de puerta simple de un MOSFET con la capacidad de alta corriente y voltaje de saturación baja de un transistor bipolar mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control y un transistor de potencia bipolar para el interruptor en un solo dispositivo. . El transistor bipolar de puerta aislada, o IGBT, desarrollado por Infineon, es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales reconocido por una amplia gama de fabricantes por su alta eficiencia y rápida conmutación.

●Proporcionar baja pérdida de conmutación
● Hasta 60 conmutación de frecuencia khz.
●Con voltaje de transmisor de colector abierto a 1200V
● Tensión de saturación colector-emisor (IC=300A, Vge=15V)
Voltaje de umbral (IC= 12,0 mamá, VCE = VGE, Temperatura = 25°C)
●Cargo de puerta (Vge=-15V~+15V)
●Resistencia de puerta interna (Temperatura = 25°C)
●Capacitancia de entrada f = 1 megahercio, Temperatura = 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V
● Capacitancia de transferencia inversa f = 1 megahercio, Temperatura = 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V
Corriente de corte colector-emisor VCE= 1200 V, VGE= 0 V, Temperatura = 25°C
Corriente de fuga puerta-emisor VCE= 0 V, VGE= 20 V, Temperatura = 25°C