وحدات FZ400R12KE3-Infineon IGBT

وصف

FZ400R12KE3 is a low switching loss IGBT module device designed by the world’s leading semiconductor company Infineon. الجهاز مصمم ومطور لمجموعة متنوعة من الصناعات, تجاري, construction and agricultural vehicles and is a modular device with a very wide range of applications. If you want to buy or learn more original electronic components from Infineon, please contact xt-Shenzhen to serve you.

ال FZ400R12KE3 device can be used to switch at frequencies up to 60 khz for hard and soft switching applications. Such as inverters, UPS والمحركات الصناعية. These devices form a single semi-integrated module by combining isolated gate FETs for control inputs and bipolar power transistors for switching in a single device. The insulated gate bipolar transistor or IGBT developed by Infineon is a three-terminal power semiconductor device recognized by many manufacturers for its high efficiency and fast switching.

● جهد تشبع جامع-باعث (Ic = 300 أ, Vge = 15 فولت)
● Gate threshold voltage (IC = 12,0 مللي أمبير, VCE = VGE, درجة الحرارة = 25 درجة مئوية)
● رسوم البوابة (Vge = -15 فولت ~ + 15 فولت)
● مقاومة البوابة الداخلية (درجة الحرارة = 25 درجة مئوية)
● سعة الإدخال f = 1 ميغا هيرتز, درجة الحرارة = 25 درجة مئوية, VCE = 25 الخامس, VGE = 0 الخامس
● سعة التحويل العكسي f = 1 ميغا هيرتز, درجة الحرارة = 25 درجة مئوية, VCE = 25 الخامس, VGE = 0 الخامس
● Collector-emitter cut-off current VCE= 1200 الخامس, VGE = 0 الخامس, درجة الحرارة = 25 درجة مئوية
● Gate-Emitter Leakage Current VCE= 0 الخامس, VGE = 20 الخامس, درجة الحرارة = 25 درجة مئوية