FGH60N60SMD-ON مكون أشباه الموصلات
$4.10
- وصف
- سؤال
وصف
FGH60N60SMD is launched by ON Semiconductor, the world’s top IGBT transistor research and development company. The transistor is at the industry-leading level in both quality and performance. If you want to buy or learn more about ON Semiconductor’s high-end electronic components, يرجى الاتصال بـ xt-shenzhen لخدمتك. xt-shenzhen is a company specializing in selling all kinds of original electronic components, يمكنك شراء مع الثقة! ! !
ال FGH60N60SMD utilizes novel field stop IGBT technology to provide optimum performance for solar inverter, يو بي إس, welder, telecom, ESS and PFC applications. An IGBT transistor is a three-terminal power semiconductor device that combines the simple gate drive characteristics of a MOSFET with bipolarity by combining an isolated gate FET for the control input and a bipolar power transistor for the switch in a single device. The transistor’s high current and low saturation voltage capabilities combine.
• Maximum Junction Temperature: TJ = 175oC
• Positive temperature coefficient for easy parallel operation
• High current capability
• انخفاض جهد التشبع: VCE(قعد) = 1.9 الخامس(Typ.) @ IC = 60 أ
• مقاومة عالية للمدخلات
• Quick switch: EOFF = 7.5 uJ/A
• Enhanced parametric distribution
• RoHS compliant applications
| عدد الدبابيس | 3 |
| تبدد القوة | 600 دبليو |
| انهيار الجهد (جامع باعث) | 600 الخامس |
| عكس وقت الاسترداد | 39 نانوثانية |
| القوة المصنفة (الأعلى) | 600 دبليو |
| درجة حرارة التشغيل | -55℃ ~ 175℃ (تي جيه) |
| تبدد القوة (الأعلى) | 600 دبليو |
| طريقة التثبيت | من خلال ثقب |
| طَرد | TO-247-3 |
| التعبئة | أنبوب |
