FZ400R12KE3-Infineon IGBT ماڈیولز

تفصیل

FZ400R12KE3 ایک کم سوئچنگ نقصان کا IGBT ماڈیول ڈیوائس ہے جسے دنیا کی معروف سیمی کنڈکٹر کمپنی Infineon نے ڈیزائن کیا ہے۔. ڈیوائس کو مختلف صنعتوں کے لیے ڈیزائن اور تیار کیا گیا ہے۔, تجارتی, تعمیراتی اور زرعی گاڑیاں اور ایک ماڈیولر ڈیوائس ہے جس میں ایپلی کیشنز کی ایک بہت وسیع رینج ہے۔. اگر آپ Infineon سے مزید اصلی الیکٹرانک اجزاء خریدنا یا سیکھنا چاہتے ہیں۔, براہ کرم آپ کی خدمت کے لیے xt-Shenzhen سے رابطہ کریں۔.

دی FZ400R12KE3 تک فریکوئنسی پر سوئچ کرنے کے لیے ڈیوائس کا استعمال کیا جا سکتا ہے۔ 60 khz سخت اور نرم سوئچنگ ایپلی کیشنز کے لیے. جیسے انورٹرز, UPS اور صنعتی ڈرائیوز. یہ ڈیوائسز کنٹرول ان پٹ کے لیے الگ تھلگ گیٹ FETs اور ایک ہی ڈیوائس میں سوئچ کرنے کے لیے بائی پولر پاور ٹرانزسٹر کو ملا کر ایک واحد نیم مربوط ماڈیول بناتے ہیں۔. Infineon کے ذریعہ تیار کردہ موصل گیٹ بائپولر ٹرانزسٹر یا IGBT ایک تین ٹرمینل پاور سیمی کنڈکٹر ڈیوائس ہے جسے بہت سے مینوفیکچررز اس کی اعلی کارکردگی اور تیز رفتار سوئچنگ کے لیے تسلیم کرتے ہیں۔.

● کلکٹر ایمیٹر سنترپتی وولٹیج (Ic=300A, Vge=15V)
● گیٹ تھریشولڈ وولٹیج (آئی سی = 12,0 ایم اے, VCE = VGE, درجہ حرارت = 25 ° C)
● گیٹ چارج (Vge=-15V~+15V)
●اندرونی گیٹ کی مزاحمت (درجہ حرارت = 25 ° C)
●Input capacitance f = 1 میگاہرٹز, درجہ حرارت = 25 ° C, VCE = 25 وی, VGE= 0 وی
● ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس f = 1 میگاہرٹز, درجہ حرارت = 25 ° C, VCE = 25 وی, VGE= 0 وی
● کلکٹر ایمیٹر کٹ آف کرنٹ VCE= 1200 وی, VGE= 0 وی, درجہ حرارت = 25 ° C
● گیٹ ایمیٹر لیکیج کرنٹ VCE= 0 وی, VGE= 20 وی, درجہ حرارت = 25 ° C