IPW65R080CFD-acquista componenti elettronici originali Infineon

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$16.80

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Descrizione

IPW65R080CFD è un transistor MOS dalle ottime prestazioni progettato da Infineon utilizzando la super giunzione (SJ) principio. Questo tubo MOS è un MOSFET che soddisfa lo standard del settore automobilistico AEC-Q101. Attualmente, il mercato è stato in uno stato di scarsità di offerta. Se desideri acquistare o saperne di più sui componenti elettronici progettati e sviluppati dalla società Infineon originale, xt-Shenzhen è la tua buona scelta! ! !

IL IPW65R080CFD è una rivoluzionaria tecnologia MOSFET di potenza ad alta tensione progettata secondo la super giunzione (SJ) principio. La serie CFD2 da 650 V combina l'esperienza leader dei MOSFET SJ con l'innovazione migliore della categoria. Il dispositivo risultante offre tutti i vantaggi dei MOSFET SJ a commutazione rapida, fornendo allo stesso tempo un diodo corporeo estremamente veloce e robusto. Le applicazioni di commutazione risonante diventano più affidabili ed efficienti grazie alla commutazione estremamente bassa, commutazione, e perdite di conduzione e la massima robustezza.

● Diodo body ultraveloce più leggero e intelligente, durata di commutazione molto elevata
●FOM estremamente bassa, Rdson Qq e EOS portano a perdite estremamente basse
●Facile da usare/guidare
●Placcatura senza Pb, composto per stampi privo di alogeni
●Conforme a JEDEC (J-STD20 e JESD22) requisiti applicativi di livello industriale
●MOSFET qualificato per l'industria automobilistica AEC-Q101.
●Fornisce le migliori prestazioni della categoria per una maggiore efficienza, densità di potenza ed efficienza dei costi

Numero di pin3
Resistenza della sorgente di drenaggio0.072OH
polaritàCanale N
Potenza dissipata391W
soglia di voltaggio4v
Tensione Drain-Source (Vds)700v
Corrente di scarico continua (ID)43.3UN
Ora di alzarsi18n.s
Capacità di ingresso (Ciss)5030pF @100V(Vds)
tempo di caduta6n.s
Temperatura di esercizio-55℃ ~ 150 ℃ (TJ)
pacchettoTO-247-3
ImballaggioTubo

    SKU: 43500
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