MBRS360T3G-ON Halbleiter
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Beschreibung
Die von ON Semiconductor hergestellten elektronischen Komponenten erfreuen sich seit jeher großer Beliebtheit auf dem Markt. Darunter, Das MBRS360T3G-Gerät ist eine der Schottky-Dioden, und das Gerät erfüllt die Anforderungen von MSL1. Es handelt sich um ein Material in Automobilqualität, das für Automobilanwendungen geeignet ist. Das Unternehmen xt-shenzhen hat die Qualität bei der Lieferung elektronischer Komponenten an globale Kunden streng kontrolliert, und ist Ihr vertrauenswürdiger Partner! ! !
Das MBRS360T3G wird in Automobil- und anderen Anwendungen eingesetzt, die besondere Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen erfordern. Das Schottky-Barriere-Prinzip wird in großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdioden verwendet. Die fortschrittlichsten Geometrien verfügen über epitaktische Strukturen mit Oxidpassivierung und metallbeschichteten Kontakten. Ideal für Niederspannung, Hochfrequenzgleichrichtung oder als Freilauf- und Verpolungsdioden, Kleines, kompaktes SMD-Gehäuse mit J-Bend-Leitungen.
• Rechteckige Verpackung für automatisiertes Handling
• Hochstabile oxidpassivierte Verbindung
• Hervorragende Fähigkeit, umgekehrten Lawinenenergietransienten standzuhalten
• Schutzring zum Schutz vor Belastungen
•AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
• Dies sind die mechanischen Eigenschaften bleifreier Geräte
• Wohnen: Epoxidharz, geformt, Epoxid gemäß UL 94 v-0
• Gewicht: 217 mg (ca.), SMC95 mg (ca.), KMU
• Beenden: Alle Außenflächen sind korrosionsbeständig und die Anschlussleitungen sind leicht lötbar
• Temperatur des Anschlusskabels und der Montageoberfläche für Lötzwecke: 260°C max. dauert 10 Sekunden
• Polarität: Die Kerbe im Kunststoffgehäuse weist auf das Kathodenkabel hin
| Nennspannung (Gleichstrom) | 60.0v |
| Nennstrom | 3.00EIN |
| Halogenfreier Zustand | Halogen frei |
| Ausgangsstrom | ≤3,00A |
| Laststrom | 3EIN |
| Anzahl der Stifte | 2 |
| Durchlassspannung | 740mV bei 3A |
| Polarität | Standard |
| thermischer Widerstand | 11℃/W (RθJL) |
| Vorwärtsstrom | 3EIN |
| Maximaler Vorwärtsstoßstrom (Ifsm) | 80EIN |
| Vorwärtsspannung (max) | 740mV |
| Vorwärtsstrom (max) | 4EIN |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 175 °C |
| Installationsmethode | Oberflächenmontage |
| Verkapselung | DO-214AB |
| Verpackung | Band & Spule (TR) |
| Fertigungsanwendung | Tragbare Geräte, Automobil, Tragbare Geräte, Industrie, Energieverwaltung, Industriell, Tragbare Geräte, , Unterhaltungselektronik, Automobil, Energieverwaltung, Industriell, Energieverwaltung, Unterhaltungselektronik |
